STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH2N120K5-2AG

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2 eenheden)*

€ 9,22

(excl. BTW)

€ 11,16

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 802 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2 - 18€ 4,61€ 9,22
20 - 198€ 4,145€ 8,29
200 +€ 3,815€ 7,63

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
151-438
Fabrikantnummer:
STH2N120K5-2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

MDmesh K5

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.8mm

Width

10.4 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

AEC Q101 qualified

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Gerelateerde Links