STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N channel-Channel Power MOSFET, 6 A, 1200 V Enhancement Mode, 3-Pin H2PAK-2

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 4,70

(excl. BTW)

€ 5,69

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 114 stuk(s) vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 4,70
10 - 49€ 4,57
50 - 99€ 4,42
100 +€ 3,82

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
800-461
Fabrikantnummer:
STH8N120K5-2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK-2

Series

STH285N10F8-6AG

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.65mΩ

Channel Mode

Enhancement Mode

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

165W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.4nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.4mm

Height

15.8mm

Width

4.7mm

Standards/Approvals

ECOPACK

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

AEC-Q101 qualified

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

100% avalanche tested

Zener-protected

Gerelateerde Links