STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N channel-Channel Power MOSFET, 58 A, 650 V Enhancement Mode, 4-Pin PG-TO-247

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 7,66

(excl. BTW)

€ 9,27

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 300 stuk(s) vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 7,66
10 - 49€ 7,43
50 - 99€ 7,20
100 +€ 6,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
800-466
Fabrikantnummer:
STW65N040M9-4
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

STH285N10F8-6AG

Package Type

PG-TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

37mΩ

Channel Mode

Enhancement Mode

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

321W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.1mm

Standards/Approvals

ECOPACK

Length

15.9mm

Height

21.1mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area.

Very low FOM (RDS(on)·Qg)

Higher dv/dt capability

Excellent switching performance

Easy to drive

100% avalanche tested

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

Gerelateerde Links