Fabrikantnummer

Vishay TrenchFET N-Channel Single MOSFETs, 34.6 A, 70 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF458LDT-T1-UE3

RS-stocknr.:: 847-936
Fabrikantnummer:: SIZF458LDT-T1-UE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel Single MOSFETs, 34.6 A, 70 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF458LDT-T1-UE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 1,94

(excl. BTW)

€ 2,35

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 02 september 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)	Per rol
1 - 9	€ 1,94
10 - 99	€ 1,22
100 - 499	€ 0,83
500 - 999	€ 0,67
1000 +	€ 0,60

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 847-936
Fabrikantnummer:: SIZF458LDT-T1-UE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	34.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	70V
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3FS
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.020Ω
	Channel Mode	Enhancement Mode
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd	48.1W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.30mm
	Standards/Approvals	RoHS3 Compliant
	Height	1mm
	Length	3.30mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 34.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 70V
	Package Type PowerPAIR 3 x 3FS
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.020Ω
	Channel Mode Enhancement Mode
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd 48.1W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.30mm
	Standards/Approvals RoHS3 Compliant
	Height 1mm
	Length 3.30mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIZF458LDT-T1-UE3

Land van herkomst:: TW

The Vishay dual N-channel MOSFET designed for efficient power management, primarily serving in switching applications that require high reliability and performance under varying voltage conditions.

Operates with a maximum drain-source voltage of 70 V for robust performance

Optimised for 50% duty cycle configurations, enhancing efficiency in switching

Utilises flip chip technology, offering superior thermal design for better heat dissipation

100% tested for R and UIS to ensure reliability in critical applications

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.