Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 20 A, 250 V N, 8-Pin PowerPAK SIR692DP-T1-BE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 2,68

(excl. BTW)

€ 3,24

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 01 september 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)
Per rol
1 - 9€ 2,68
10 - 99€ 1,74
100 - 499€ 1,19
500 - 999€ 0,97
1000 +€ 0,90

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
851-504
Fabrikantnummer:
SIR692DP-T1-BE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.067Ω

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.05mm

Standards/Approvals

AEC-Q101 Qualified

Height

1.04mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
DE
The Vishay high-performance MOSFET designed for efficient power management in various electronic systems, ensuring reliability and precision in switching applications.

Utilises ThunderFET technology for optimal RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss balancing

Guaranteed 100% Rg and UIS tested for enhanced reliability

Supports a maximum drain-source voltage of 250V

Minimal on-resistance of 0.063Ω at VGS of 10V ensures low power loss

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.