Vishay S N-Channel MOSFET, 27 A, 650 V N, 3-Pin TO-263 SIHB135N65S-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 1,62

(excl. BTW)

€ 1,96

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 februari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 1,62
10 - 99€ 1,08
100 - 499€ 0,91
500 - 999€ 0,88
1000 +€ 0,84

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
878-897
Fabrikantnummer:
SIHB135N65S-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

S

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.121Ω

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay power MOSFET delivers exceptional performance for energy-efficient applications. Specifically designed for demanding power management, it ensures minimal losses during operation, enhancing overall system reliability and efficiency.

Utilises the latest SF series technology for cutting-edge efficiency

Exhibits low figure of merit, significantly reducing power dissipation

Offers lower effective capacitance for improved switching performance

Avalanche energy rated to withstand harsh conditions

Single configuration optimises space and simplifies design

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.