Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SI3462DV-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,37

(excl. BTW)

€ 0,45

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 februari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)
Per rol
1 - 24€ 0,37
25 - 99€ 0,24
100 +€ 0,14

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
904-971
Fabrikantnummer:
SI3462DV-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TSOP-6

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.023Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

4.2W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

ROHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay power MOSFET delivers exceptional performance for switching applications, providing reliable control in demanding electronic circuits and ensuring efficient operation across various environments.

N-Channel structure supports effective switching with minimal on-state resistance

Maximum drain-source voltage rating of 60 V enhances versatility in application

Low gate-source threshold voltage ensures compatibility with a wide range of drive circuits

Optimised for thermal performance with a low thermal resistance, enhancing efficiency

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.