Vishay E Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHH26N60E-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,48

(excl. BTW)

€ 6,63

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 5,48
10 - 49€ 4,07
50 - 99€ 3,41
100 - 249€ 3,01
250 +€ 2,87

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
124-2251
Fabrikantnummer:
SIHH26N60E-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

E

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

135mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

202W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

77nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

8.1 mm

Length

8.1mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TW

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor


The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

Features


Low figure-of-merit (FOM) RDS(on) x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Low on-resistance (RDS(on))

Ultra-low gate charge (Qg)

Fast switching

Reduced switching and conduction losses

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links