ROHM RQ3L050GN N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin HSMT RQ3L050GNTB

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
133-3297
Fabrikantnummer:
RQ3L050GNTB
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

HSMT

Series

RQ3L050GN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

86 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

14.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

5.3 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.3mm

Number of Elements per Chip

1

Width

3.1mm

Height

0.85mm

Forward Diode Voltage

1.2V

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM



MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Gerelateerde Links