ROHM Single RQ3L050GN 1 N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3L050GNTB

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
133-3297
Fabrikantnummer:
RQ3L050GNTB
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Transistor Configuration

Single

Series

RQ3L050GN

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

12 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

60 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

HSMT

Forward Voltage (Vf)

1.2 V

Height

850 μm

Length

3.3 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

86 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V, -20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

14.8 W

Mount Type

Surface

Width

3.1 mm

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.