Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET, 10.3 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
133-9787
Fabrikantnummer:
IPAW60R600CEXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Series

CoolMOS CE

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

10.3 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

600 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

3

Package Type

TO-220FP

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

900 mV

Height

16.27 mm

Length

11.3 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

0.6 Ω

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

28 W

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Mount Type

Through Hole

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

20.5 nC

Width

4.9 mm

Land van herkomst:
CN

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.