IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-268 IXFT60N65X2HV

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 170,94

(excl. BTW)

€ 206,85

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 5,698€ 170,94

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
146-4235
Fabrikantnummer:
IXFT60N65X2HV
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-268

Series

HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

780W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

15.15 mm

Length

16.05mm

Height

5.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher efficiency

High power density

Easy to mount

Space savings

Gerelateerde Links