Vishay Type N-Channel Power MOSFET, 8.7 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP8N50D-GE3

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
165-7113
Fabrikantnummer:
SIHP8N50D-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.85Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.01mm

Standards/Approvals

No

Width

4.65 mm

Length

10.51mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links