Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK30E06N1
- RS-stocknr.:
- 168-7775
- Fabrikantnummer:
- TK30E06N1
- Fabrikant:
- Toshiba
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*
€ 29,60
(excl. BTW)
€ 35,80
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 2.350 stuk(s) vanaf 07 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,592 | € 29,60 |
| 250 - 450 | € 0,545 | € 27,25 |
| 500 - 1200 | € 0,512 | € 25,60 |
| 1250 - 2450 | € 0,493 | € 24,65 |
| 2500 + | € 0,481 | € 24,05 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 168-7775
- Fabrikantnummer:
- TK30E06N1
- Fabrikant:
- Toshiba
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 43A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | TK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.45 mm | |
| Height | 15.1mm | |
| Length | 10.16mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 43A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series TK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.45 mm | ||
Height 15.1mm | ||
Length 10.16mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Land van herkomst:
- JP
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Gerelateerde Links
- Toshiba TK N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-220 TK30E06N1
- Toshiba TK N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1
- Toshiba TK N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-220 TK58E06N1
- Toshiba TK N-Channel MOSFET 60 VS4X(S
- Toshiba TK N-Channel MOSFET 120 VS1X(S
- Toshiba TK N-Channel MOSFET 80 V, 3-Pin TO-220 TK100E08N1
- Toshiba TK N-Channel MOSFET 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
- Toshiba TK N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1
