Infineon BSC12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 3.265,00

(excl. BTW)

€ 3.950,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 14 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,653€ 3.265,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
170-2290
Fabrikantnummer:
BSC12DN20NS3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

BSC12DN20NS3 G

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.35mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Width

6.35 mm

Automotive Standard

No

The Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS products are performance leading Benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

Highest efficiency

Highest power density

Lowest board space consumption

Minimal device paralleling required

System cost improvement

Gerelateerde Links