Infineon BSC12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC12DN20NS3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 10,52

(excl. BTW)

€ 12,73

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,052€ 10,52
50 - 90€ 1,001€ 10,01
100 - 240€ 0,90€ 9,00
250 - 490€ 0,81€ 8,10
500 +€ 0,77€ 7,70

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
171-1952
Fabrikantnummer:
BSC12DN20NS3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

BSC12DN20NS3 G

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5.35mm

Height

1.1mm

Width

6.35 mm

Automotive Standard

No

The Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS products are performance leading Benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

Highest efficiency

Highest power density

Lowest board space consumption

Minimal device paralleling required

System cost improvement

Gerelateerde Links