Toshiba Type N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 264,00

(excl. BTW)

€ 318,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 15.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,088€ 264,00
6000 - 6000€ 0,084€ 252,00
9000 +€ 0,079€ 237,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
171-2402
Fabrikantnummer:
SSM3K339R
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.1nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.7mm

Width

1.8 mm

Length

2.9mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TH
Power Management Switches

DC-DC Converters

1.8-V gate drive voltage.

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@VGS = 8.0 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@VGS = 3.6 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V, ID = 0.5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@VGS = 1.8 V, ID = 0.2 A)

Gerelateerde Links