Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 9.922,50

(excl. BTW)

€ 12.005,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 23 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 - 2500€ 3,969€ 9.922,50
5000 +€ 3,747€ 9.367,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
171-2421
Fabrikantnummer:
TK31V60W5
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

109mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.7V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

8 mm

Length

8mm

Height

0.85mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
Switching Voltage Regulators

Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 Ω(typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)

Gerelateerde Links