Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 63,00

(excl. BTW)

€ 76,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 1.500 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 50€ 1,26€ 63,00
100 - 200€ 1,096€ 54,80
250 +€ 0,932€ 46,60

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
178-0818
Fabrikantnummer:
IRFBE30PBF
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

IRFBE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

9.01mm

Width

4.7 mm

Length

10.41mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links