Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 9,36

(excl. BTW)

€ 11,325

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,872€ 9,36
50 - 120€ 1,702€ 8,51
125 - 245€ 1,608€ 8,04
250 - 495€ 1,532€ 7,66
500 +€ 1,498€ 7,49

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4943
Fabrikantnummer:
SIHU4N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHU4N80AE

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.44Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

6.22mm

Width

2.38 mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links