Fabrikantnummer

Vishay IRF N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF820APBF

RS-stocknr.:: 178-0833
Fabrikantnummer:: IRF820APBF
Fabrikant:: Vishay

Vishay IRF N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF820APBF

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (50 eenheden, in een tube van 50)*

€ 54,50

(excl. BTW)

€ 66,00

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Laatste voorraad RS

Laatste 550 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Aantal stuks	Per stuk	Per tube*
50 - 50	€ 1,09	€ 54,50
100 - 200	€ 1,035	€ 51,75
250 +	€ 0,981	€ 49,05

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 178-0833
Fabrikantnummer:: IRF820APBF
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	TO-220
	Series	IRF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-30V, +30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	4.7mm
	Length	10.41mm
	Height	9.01mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type TO-220
	Series IRF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 4.7mm
	Length 10.41mm
	Height 9.01mm
	Automotive Standard No

Datasheet

The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.

Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.