Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Niet beschikbaar
RS heeft dit product niet meer op voorraad.
RS-stocknr.:
178-3726
Fabrikantnummer:
SQS944ENW-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

27.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Height

1.07mm

Standards/Approvals

No

Width

3.15 mm

Length

3.15mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® power MOSFET

Gerelateerde Links