Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS944ENW-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 19,50

(excl. BTW)

€ 23,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.975 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 75€ 0,78€ 19,50
100 - 475€ 0,663€ 16,58
500 - 975€ 0,584€ 14,60
1000 +€ 0,507€ 12,68

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-3956
Fabrikantnummer:
SQS944ENW-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

27.8W

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.6nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.07mm

Length

3.15mm

Standards/Approvals

No

Width

3.15 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® power MOSFET

Gerelateerde Links