Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR188DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,61

(excl. BTW)

€ 11,63

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 1.020 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,961€ 9,61

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-3895
Fabrikantnummer:
SiR188DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.99mm

Width

5 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Gerelateerde Links