Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR392DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 15,76

(excl. BTW)

€ 19,07

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.820 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 3,152€ 15,76
50 - 95€ 2,828€ 14,14
100 - 495€ 2,678€ 13,39
500 - 995€ 2,518€ 12,59
1000 +€ 2,204€ 11,02

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-3934
Fabrikantnummer:
SiDR392DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

900μΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

6 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Length

5.99mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Land van herkomst:
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Gerelateerde Links