Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7190ADP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,85

(excl. BTW)

€ 9,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,57€ 7,85
50 - 95€ 1,308€ 6,54
100 - 495€ 1,016€ 5,08
500 - 995€ 0,89€ 4,45
1000 +€ 0,80€ 4,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-3875
Fabrikantnummer:
Si7190ADP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

14.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.9nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.99mm

Standards/Approvals

No

Width

5 mm

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® power MOSFET

Low thermal resistance PowerPAK® package

Gerelateerde Links