Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal 50 eenheden (geleverd op een doorlopende strip)*

€ 141,40

(excl. BTW)

€ 171,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.820 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
50 - 95€ 2,828
100 - 495€ 2,678
500 - 995€ 2,518
1000 +€ 2,204

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-3934P
Fabrikantnummer:
SiDR392DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

900μΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

6 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.99mm

Height

1.07mm

Standards/Approvals

No

Width

5 mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Gerelateerde Links