Vishay Dual SIA931DJ Type P-Channel MOSFET, -4.5 A, -30 V Enhancement, 6-Pin PowerPack SIA931DJ-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 8,84

(excl. BTW)

€ 10,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.360 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,442€ 8,84
200 - 480€ 0,433€ 8,66
500 - 980€ 0,332€ 6,64
1000 - 1980€ 0,265€ 5,30
2000 +€ 0,221€ 4,42

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
180-7884
Fabrikantnummer:
SIA931DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Series

SIA931DJ

Package Type

PowerPack

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.1nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.15mm

Width

2.15 mm

Height

0.8mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay SIA931DJ is a dual P-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -30V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 6VGS. Maximum drain current -4.5A.

Trench FET Gen III power MOSFET

Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance

100 % Rg tested

Gerelateerde Links