Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7216DN-T1-E3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,35

(excl. BTW)

€ 10,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.915 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,67€ 8,35
50 - 120€ 1,488€ 7,44
125 - 245€ 1,17€ 5,85
250 - 495€ 0,97€ 4,85
500 +€ 0,884€ 4,42

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
180-7922
Fabrikantnummer:
SI7216DN-T1-E3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPack

Series

SI7216DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

25mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

20.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay SI7216DN is a dual N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 40V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.032ohms at 10VGS and 0.039ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 6A.

Trench FET power MOSFET

Low thermal resistance Power PAK package with small size and low 1.07 mm profile

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Gerelateerde Links