Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SC-70 SIA938DJT-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 14,55

(excl. BTW)

€ 17,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 5.975 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 225€ 0,582€ 14,55
250 - 600€ 0,553€ 13,83
625 - 1225€ 0,466€ 11,65
1250 - 2475€ 0,437€ 10,93
2500 +€ 0,408€ 10,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2835
Fabrikantnummer:
SIA938DJT-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SC-70

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

21.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

7.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel MOSFET provides exceptional versatility for power management design.

Very low RDS(on) and excellent RDS x Qg

Figure-of-Merit (FOM) in an ultra compact

package footprint

Gerelateerde Links