Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 0.52 A, 150 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1411DH-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 8,28

(excl. BTW)

€ 10,02

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 5.740 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,414€ 8,28
200 - 480€ 0,394€ 7,88
500 - 980€ 0,352€ 7,04
1000 - 1980€ 0,253€ 5,06
2000 +€ 0,205€ 4,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
180-7915
Fabrikantnummer:
SI1411DH-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

0.52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.2mm

Standards/Approvals

No

Width

2.4 mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay Siliconix SI1411DH series TrenchFET P channel power MOSFET has drain to source voltage of 150 V. It is used in active clamp circuits in DC/DC power supplies.

Small, thermally enhanced SC-70 package

Ultra low on-resistance

Pb-free

Halogen free

Gerelateerde Links