Vishay N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V, 3-Pin DPAK SIHD186N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
RS-stocknr.:
188-4873
Fabrikantnummer:
SIHD186N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

201 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

156 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

21 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

2.25mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
APPLICATIONS
Server and telecom power supplies
Switch mode power supplies (SMPS)
Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.