Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 2.424,00

(excl. BTW)

€ 2.934,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,808€ 2.424,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
188-4891
Fabrikantnummer:
SiSF20DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Common Drain

Height

0.75mm

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Width

3.4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Common - Drain Dual N-Channel 60 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low source-to-source on resistance

Integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package

Gerelateerde Links