Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 92.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS22LDN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.434,00

(excl. BTW)

€ 1.734,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,478€ 1.434,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6854
Fabrikantnummer:
SiSS22LDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

92.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Height

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 is a N-channel 60V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links