Fabrikantnummer

Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

RS-stocknr.:: 188-5025
Fabrikantnummer:: SiSF20DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 13,60

(excl. BTW)

€ 16,45

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 11 augustus 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
5 - 45	€ 2,72	€ 13,60
50 - 120	€ 2,444	€ 12,22
125 - 245	€ 2,04	€ 10,20
250 - 495	€ 1,624	€ 8,12
500 +	€ 1,364	€ 6,82

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 188-5025
Fabrikantnummer:: SiSF20DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	52A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET Gen IV
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	18mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	69.4W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Common Drain
	Height	0.75mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.4mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 52A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET Gen IV
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 69.4W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Common Drain
	Height 0.75mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.4mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet SiSF20DN-T1-GE3

Common - Drain Dual N-Channel 60 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low source-to-source on resistance

Integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.