Fabrikantnummer

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 108 A, 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

RS-stocknr.:: 200-6847
Fabrikantnummer:: SISS50DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 108 A, 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 52,50

(excl. BTW)

€ 63,50

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 11 augustus 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
50 - 50	€ 1,05	€ 52,50
100 - 200	€ 0,945	€ 47,25
250 - 450	€ 0,683	€ 34,15
500 - 1200	€ 0,63	€ 31,50
1250 +	€ 0,578	€ 28,90

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 200-6847
Fabrikantnummer:: SISS50DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	108A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	45V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	70nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Height	3.3mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 108A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 45V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Height 3.3mm
	Automotive Standard No

Document- SISS50DN-T1-GE3

The Vishay SISS50DN-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.