Vishay SiSHA04DN N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISHA04DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
188-4896
Fabrikantnummer:
SISHA04DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSHA04DN

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00215Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-16V, +20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Height

930μm

Standards/Approvals

No

Width

3.3mm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET ® Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.