Vishay SiSHA04DN Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISHA04DN-T1-GE3
- RS-stocknr.:
- 188-5123
- Fabrikantnummer:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 6,35
(excl. BTW)
€ 7,68
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- 2.990 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,635 | € 6,35 |
| 100 - 240 | € 0,57 | € 5,70 |
| 250 - 490 | € 0,49 | € 4,90 |
| 500 - 990 | € 0,413 | € 4,13 |
| 1000 + | € 0,355 | € 3,55 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 188-5123
- Fabrikantnummer:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SH | |
| Series | SiSHA04DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00215Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.3 mm | |
| Height | 0.93mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8SH | ||
Series SiSHA04DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00215Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.3 mm | ||
Height 0.93mm | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET ® Gen IV power MOSFET
Gerelateerde Links
- Vishay N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISHA04DN-T1-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISHA10DN-T1-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSHA14DN-T1-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSHA12ADN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSS54DN-T1-GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH101DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH892BDN-T1-GE3
