Vishay SiSS32ADN Type N-Channel MOSFET, 63 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS32ADN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 6,91

(excl. BTW)

€ 8,36

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 11.840 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,691€ 6,91

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-5014
Fabrikantnummer:
SiSS32ADN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS32ADN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Height

0.83mm

Width

3.4 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type with 63 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links