Vishay SiSS30LDN Type N-Channel MOSFET, 55.5 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.524,00

(excl. BTW)

€ 1.845,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,508€ 1.524,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
188-4902
Fabrikantnummer:
SISS30LDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS30LDN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Gerelateerde Links