Vishay SiSS30LDN Type N-Channel MOSFET, 55.5 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS30LDN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,10

(excl. BTW)

€ 13,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 08 juni 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,11€ 11,10
100 - 240€ 1,055€ 10,55
250 - 490€ 0,80€ 8,00
500 - 990€ 0,721€ 7,21
1000 +€ 0,61€ 6,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5051
Fabrikantnummer:
SISS30LDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS30LDN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32.5nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.78mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Gerelateerde Links