Vishay SiSS30ADN Type N-Channel MOSFET, 54.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS30ADN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,52

(excl. BTW)

€ 9,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.090 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,752€ 7,52

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-5011
Fabrikantnummer:
SiSS30ADN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

54.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiSS30ADN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.83mm

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type with 54.7 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links