Vishay SiHU5N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU5N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 5,00

(excl. BTW)

€ 6,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 20 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,50€ 5,00
100 - 240€ 0,481€ 4,81
250 - 490€ 0,469€ 4,69
500 - 990€ 0,457€ 4,57
1000 +€ 0,445€ 4,45

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7229
Fabrikantnummer:
SIHU5N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

IPAK

Series

SiHU5N80AE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Height

6.22mm

Standards/Approvals

No

Width

2.39 mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links