Fabrikantnummer

Vishay E N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU2N80AE-GE3

RS-stocknr.:: 210-4997
Fabrikantnummer:: SIHU2N80AE-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay E N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU2N80AE-GE3

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 2,86

(excl. BTW)

€ 3,46

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending 2.700 stuk(s) vanaf 02 november 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 +	€ 0,286	€ 2,86

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 210-4997
Fabrikantnummer:: SIHU2N80AE-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	IPAK
	Series	E
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22mm
	Length	6.73mm
	Height	2.18mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type IPAK
	Series E
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.22mm
	Length 6.73mm
	Height 2.18mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHU2N80AE-GE3

The Vishay E Series Power MOSFET has IPAK (TO-251) package type.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.