Vishay E Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU2N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,65

(excl. BTW)

€ 10,47

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 2.700 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,865€ 8,65
100 - 240€ 0,842€ 8,42
250 - 490€ 0,821€ 8,21
500 - 990€ 0,798€ 7,98
1000 +€ 0,779€ 7,79

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4997
Fabrikantnummer:
SIHU2N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.18mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has IPAK (TO-251) package type.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

Gerelateerde Links