Vishay E Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 864,00

(excl. BTW)

€ 1.044,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,288€ 864,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
210-4995
Fabrikantnummer:
SIHU2N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

IPAK

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Height

2.18mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has IPAK (TO-251) package type.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

Gerelateerde Links