Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET, 60 A, 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,50

(excl. BTW)

€ 12,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,10€ 10,50
50 - 120€ 1,788€ 8,94
125 - 245€ 1,466€ 7,33
250 - 495€ 1,222€ 6,11
500 +€ 0,97€ 4,85

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4999
Fabrikantnummer:
SISF02DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Transistor Configuration

Common Drain

Maximum Operating Temperature

-55°C

Standards/Approvals

No

Width

3.4 mm

Height

0.75mm

Length

3.4mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Common Drain Dual N-Channel 25 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low source-to-source on resistance

Integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package

Gerelateerde Links