Vishay SiSS60DN Type N-Channel MOSFET, 181.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS60DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 12,01

(excl. BTW)

€ 14,53

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 03 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,201€ 12,01
100 - 240€ 1,081€ 10,81
250 - 490€ 0,996€ 9,96
500 - 990€ 0,938€ 9,38
1000 +€ 0,781€ 7,81

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5094
Artikelnummer Distrelec:
304-32-536
Fabrikantnummer:
SISS60DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

181.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSS60DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.01mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

57nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.68V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.78mm

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

SKYFET® with monolithic Schottky diode

Optimized RDS x Qg and RDS x Qgd FOM enable higher efficiency for high frequency switching

Gerelateerde Links