Vishay SiSS60DN Type N-Channel MOSFET, 181.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS60DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 12,72

(excl. BTW)

€ 15,39

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 juni 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,272€ 12,72
100 - 240€ 1,145€ 11,45
250 - 490€ 1,055€ 10,55
500 - 990€ 0,994€ 9,94
1000 +€ 0,827€ 8,27

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5094
Artikelnummer Distrelec:
304-32-536
Fabrikantnummer:
SISS60DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

181.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSS60DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.01mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Forward Voltage Vf

0.68V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

57nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Height

0.78mm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

SKYFET® with monolithic Schottky diode

Optimized RDS x Qg and RDS x Qgd FOM enable higher efficiency for high frequency switching

Gerelateerde Links