Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSH892BDN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,48

(excl. BTW)

€ 9,05

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 5.970 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,748€ 7,48
100 - 240€ 0,709€ 7,09
250 - 490€ 0,56€ 5,60
500 - 990€ 0,523€ 5,23
1000 +€ 0,396€ 3,96

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2931
Fabrikantnummer:
SiSH892BDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

30.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links