Vishay SiSHA10DN Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISHA10DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 25,675

(excl. BTW)

€ 31,075

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 juni 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 +€ 1,027€ 25,68

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5146
Fabrikantnummer:
SISHA10DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSHA10DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Height

0.93mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links