Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 185.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS54DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 11,10

(excl. BTW)

€ 13,45

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 5.755 stuk(s) vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,22€ 11,10
50 - 120€ 2,00€ 10,00
125 - 245€ 1,598€ 7,99
250 - 495€ 1,442€ 7,21
500 +€ 1,20€ 6,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2933
Fabrikantnummer:
SiSS54DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

185.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.06mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links