Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 185.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS54DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,90

(excl. BTW)

€ 10,75

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 5.975 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,78€ 8,90
50 - 120€ 1,60€ 8,00
125 - 245€ 1,282€ 6,41
250 - 495€ 1,156€ 5,78
500 +€ 0,96€ 4,80

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2933
Fabrikantnummer:
SiSS54DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

185.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.06mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links