Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ208EP-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,80

(excl. BTW)

€ 14,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 29 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,18€ 11,80
100 - 240€ 1,121€ 11,21
250 - 490€ 0,944€ 9,44
500 - 990€ 0,768€ 7,68
1000 +€ 0,649€ 6,49

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5101
Fabrikantnummer:
SQJ208EP-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.77V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Height

1.01mm

Length

5mm

Width

4.47 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFETs.

TrenchFET® power MOSFET

Gerelateerde Links